Rapidus, una start-up japonesa de fabricación de chips, ha comenzado a prototipar transistores GAA de 2nm en su nueva instalación de fabricación. Este avance significativo en las técnicas de producción de semiconductores marca el inicio de la obtención de características eléctricas esenciales como conductividad y resistencia. La compañía planea iniciar la producción masiva para 2027 y ofrecer un kit de desarrollo de procesos a sus clientes en 2026. Rapidus atribuye su progreso a su innovadora fundición IIM-1, que integra más de 200 equipos avanzados y redefine los modelos tradicionales de fábricas semiconductoras. Además, el gobierno japonés ha invertido considerablemente en Rapidus como parte de su estrategia para revitalizar el sector semiconductor del país.
La empresa emergente japonesa Rapidus ha dado un paso significativo en el ámbito de los semiconductores al iniciar la creación de un transistor GAA (gate-all-around) de 2 nm en su nueva instalación de fabricación. Este desarrollo marca un avance notable en las técnicas de producción de chips.
Según declaraciones de Rapidus, sus transistores GAA de 2 nm han comenzado a mostrar características eléctricas, un término que abarca aspectos como la conductividad, resistencia, voltaje, potencia y frecuencia. Con este logro, la compañía se posiciona para comenzar la producción en masa en 2027.
Rapidus planea ofrecer un kit de desarrollo de procesos compatible a algunos clientes para el primer trimestre de 2026, lo que les permitirá iniciar sus propios procesos de prototipado.
El éxito del transistor de 2 nm se atribuye a su recientemente inaugurada fundición IIM-1. La construcción de esta instalación comenzó en septiembre de 2023, y se completó una sala limpia en 2024. El mes pasado, se conectaron más de 200 piezas del equipo semiconductor más avanzado del mundo.
La compañía considera que IIM-1 representa un "avance significativo" respecto a los modelos tradicionales de fundición, redefiniendo cómo deben pensar, aprender, adaptarse y optimizarse los procesos en tiempo real dentro de las fábricas de semiconductores.
Rapidus utiliza tecnologías como el procesamiento totalmente en obleas individuales y la litografía ultravioleta extrema, afirmando estar entre los líderes en cada uno de estos campos.
De acuerdo con Bloomberg, el gobierno japonés invirtió JPY590 mil millones (aproximadamente $4 mil millones) en Rapidus a principios de 2024, sumándose al apoyo previo para IIM-1.
Diversos artículos periodísticos indican que Rapidus fue una de las varias empresas beneficiadas por esta inyección financiera como parte del esfuerzo gubernamental por revitalizar el sector semiconductor. Esta estrategia también incluyó un paquete reportado de subsidios e incentivos por JPY10 billones.
Cifra | Descripción |
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JPY 590 mil millones | Inversión del gobierno japonés en Rapidus |
2024 | Año de finalización de la construcción de la sala limpia |
2027 | Año previsto para el inicio de producción en masa |
Q1 2026 | Fecha estimada para el lanzamiento del kit de desarrollo de procesos |